Экситонные свойства двумерных полупроводников

Научный семинар

Экситонные свойства двумерных полупроводников

Введите что-нибудь для фильтрации.

Докладчик

Михаил Михайлович Глазов

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН

д.ф.-м.н.

Информация актуальна на момент доклада.

Видео

Video Player is loading.
Текущее время 0:00
Продолжительность -:-
Загрузка: 0%
Stream Type LIVE
Оставшееся время -:-
 
1x
  • Chapters
  • descriptions off, selected
  • subtitles off, selected

    Аннотация

    В последние несколько лет сформировался интерес к двумерным полупроводниковым кристаллам, наиболее яркими представителями которых являются монослои дихалькогенидов переходных металлов (MoS2, WSe2 и др.).

    Такие системы демонстрируют необычные физические эффекты, связанные с тригональной симметрией, сильными спин-орбитальным и кулоновским взаимодействиями. Подобно графену в этих материалах экстремумы зоны проводимости и валентной зоны реализуются в точках K и K’ на границах зоны Бриллюэна, однако, в отличие от графена, в дихалькогенидах переходных металлах имеется запрещенная зона шириной порядка 2 эВ.

    Спин-орбитальное взаимодействие приводит полному снятию вырождения электронных и дырочных состояний, а также к особенностям правил отбора при междузонных оптических переходах: в одной из неэквивалентных долин междузонные переходы идут под действием света с правой циркулярной поляризацией, а в другой — с левой. Оптические свойства таких систем определяются экситонами, связанными электрон-дырочными комплексами, которые стабильны вплоть до комнатной температуры.

    В докладе будет приведен обзор экситонных эффектов в монослоях дихалькогенидов переходных металлов, также будут представлены результаты наших исследований спиновой и долинной динамики экситонов и проявлений экситонов в эффектах нелинейной оптики.


    Другие семинары