Атомные процессы на поверхности кристалла

Научный семинар

Атомные процессы на поверхности кристалла

Введите что-нибудь для фильтрации.

Докладчик

Александр Васильевич Латышев

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН

д.ф.-м.н., член-корреспондент РАН

Информация актуальна на момент доклада.

Видео

Аннотация

Представлены результаты исследований структурных процессов, протекающих на поверхности кремния при сублимации, адсорбции, гомо- и гетероэпитаксиальном росте, термическом отжиге и газовых реакциях, полученные с помощью разработанного в ИФП СО РАН уникального диагностического метода — in situ сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии.

С помощью этого метода авторами получен ряд принципиально новых результатов таких как:

  • открытие существования эффективного заряда адатомов на поверхности кремния;
  • обратимый эффект трансформации системы моноатомных ступеней в эшелоны, инициированный электрическим током, нагревающим исследуемый кристалл;
  • попарное объединение ступеней под действием постоянного электрического тока на поверхности кремния (001);
  • смещение атомных ступеней при поверхностном сверхструктурном переходе;
  • эффект кластерирования (группирования) ступеней при поверхностной реконструкции;
  • формирование антиэшелонов; аномально высокая плотность адатомов на поверхности кремния (111);
  • формирование экстра больших террас (атомарное зеркало);

Определен ряд количественных параметров

  • коэффициенты диффузии адатомов и вакансий
  • энергии активаций
  • коэффициент линейного натяжения ступени
  • барьер Швебеля и т. д.
  • эффект упорядочения нанокластеров золота на эшелонах ступеней

Визуализированы процессы взаимодействия чистой поверхности кремния с кислородом, и т. д


Другие семинары