Научный семинар
Атомные процессы на поверхности кристалла
Докладчик
Александр Васильевич Латышев
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
д.ф.-м.н., член-корреспондент РАН
Информация актуальна на момент доклада.
Видео
Аннотация
Представлены результаты исследований структурных процессов, протекающих на поверхности кремния при сублимации, адсорбции, гомо- и гетероэпитаксиальном росте, термическом отжиге и газовых реакциях, полученные с помощью разработанного в ИФП СО РАН уникального диагностического метода — in situ сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии.
С помощью этого метода авторами получен ряд принципиально новых результатов таких как:
- открытие существования эффективного заряда адатомов на поверхности кремния;
- обратимый эффект трансформации системы моноатомных ступеней в эшелоны, инициированный электрическим током, нагревающим исследуемый кристалл;
- попарное объединение ступеней под действием постоянного электрического тока на поверхности кремния (001);
- смещение атомных ступеней при поверхностном сверхструктурном переходе;
- эффект кластерирования (группирования) ступеней при поверхностной реконструкции;
- формирование антиэшелонов; аномально высокая плотность адатомов на поверхности кремния (111);
- формирование экстра больших террас (атомарное зеркало);
Определен ряд количественных параметров
- коэффициенты диффузии адатомов и вакансий
- энергии активаций
- коэффициент линейного натяжения ступени
- барьер Швебеля и т. д.
- эффект упорядочения нанокластеров золота на эшелонах ступеней
Визуализированы процессы взаимодействия чистой поверхности кремния с кислородом, и т. д