Эффекты резонансного туннелирования в полупроводниковых гетероструктурах

Научный семинар

Эффекты резонансного туннелирования в полупроводниковых гетероструктурах

Введите что-нибудь для фильтрации.

Докладчик

Никита Сергеевич Аверкиев

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН

д.ф.-м.н.

Информация актуальна на момент доклада.

Видео

Аннотация

Туннелирование представляет собой квантовый процесс прохождения частицы через классически недоступные области, в которых ее кинетическая энергия отрицательная.

Под резонансным туннелированием понимают процесс, когда вероятность прохождения классически недоступных областей мала, однако имеются интервал энергии частицы для которых вероятность прохождения точно равна единице, но этот интервал чрезвычайно узкий.

В объемных материалах весьма сложно реализовать такую резонансную ситуацию, однако в полупроводниковых структурах, содержащих квантовые ямы или точки с характерными размерами несколько нанометров, удается создать условия для резонансного туннелирования.

В лекции будет рассмотрено несколько примеров из физики полупроводников, в которых резонансное туннелирование носителей тока приводит к неожиданным эффектам.


Другие семинары