Семинары, проведенные кафедрой в допандемийный период

Методы расчета и оптические свойства фотонно-кристаллических структур

Докладчик: Николай Алексеевич Гиппиус (Сколковский институт науки и технологий, д.ф.-м.н.)

В докладе рассматриваются периодические фотонные структуры, их свойства и применение. Предложен метод дискретного дипольного приближения для расчета свойств таких структур, приводится сравнение метода с методом конечных элементов и методом матрицы рассеяния.

Флуоресцентная спектромикроскопия одиночных полупроводниковых коллоидных квантовых точек и органических молекул в твердых матрицах

Докладчик: Андрей Витальевич Наумов (Институт спектроскопии РАН, д.ф.-м.н.)

В докладе обсуждается экспериментальная техника криогенной спектромикроскопии одиночных квантовых излучателей, а также ее применения для исследования фотофизических свойств коллоидных полупроводниковых квантовых точек и органических молекул.

Необычные магнитные фазовые переходы в редкоземельных интерметаллидах

Докладчик: Николай Варфоломеевич Мушников (Институт физики металлов им. М. Н. Михеева УрО РАН, д.ф.-м.н., академик РАН)

В докладе представлены результаты исследования магнитных структур и магнитных фазовых переходов в соединениях RMn2Si2 и RFe5Al7 (R — редкоземельный элемент или иттрий) с тетрагональной кристаллической структурой.

Плазмонно-резонансное детектирование терагерцового излучения в гетероструктурах на основе графена

Докладчик: Дмитрий Александрович Свинцов (Московский физико-технический институт, к.ф.-м.н.)

В докладе обсуждается первые наблюдения плазмонного резонанса в терагерцовом детекторе на основе двухслойного графена, инкапсулированного в нитрид бора.

Свойства дислокаций в кремнии и инженерия дефектов для солнечных элементов из мультикристаллического кремнии

Докладчик: Виталий Владимирович Кведер (Институт физики твердого тела им. Ю. А. Осипьяна РАН, д.ф.-м.н., академик РАН)

В докладе дается краткий обзор современного состояния солнечной энергетики и рассматриваются некоторые свойства дислокаций в кремнии и особенности «инженерии дефектов», применяемой при изготовлении высокоэффективных солнечных элементов из кремния, содержащего дислокации.

Магнитный резонанс и релаксация поляризованных бета-активных ядер. Современное состояние и ожидаемые перспективы

Докладчик: Фридрих Саламонович Джепаров (Институт теоретической и экспериментальной физики имени А. И. Алиханова Национального исследовательского центра «Курчатовский институт», д.ф.-м.н.)

В докладе представлен обзор экспериментальных и теоретических исследований в магнитном резонансе и релаксации поляризованных бета-активных ядер.  

Управление намагниченностью ферро- и антиферромагнетиков фемтосекундными лазерными импульсами

Докладчик: Александра Михайловна Калашникова (Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, к.ф.-м.н.)

В докладе рассматриваются процессы, возникающие в магнитоупорядоченных средах при воздействии на них фемтосекундных лазерных импульсов. В частности, рассматриваются сверхбыстрые обратные магнитооптические эффекты, лазерно-индуцированное изменение магнитной анизотропии и сверхбыстрое размагничивание.

Резонансная оптомеханика полупроводниковых наноструктур

Докладчик: Александр Никитич Поддубный (Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, д.ф.-м.н.)

В докладе приводится обзор явлений, обусловленных взаимодействием света с механическими колебаниями наноструктур в условиях оптических и экситонных резонансов — от резонансного рассеяния света Мандельштама — Бриллюэна до акустических аналогов лазеров и транзисторов, управляемых светом.

Физика полимерных наноструктур на карте физики конденсированного состояния

Докладчик: Игорь Яковлевич Ерухимович (Институт элементоорганических соединений им. А. Н. Несмеянова РАН, д.ф.-м.н.)

В докладе рассматриваются блок-сополимерные наноструктуры — макромолекулы, полученные химическим сшиванием двух и более цепей (блоков) разного химического строения. Обсуждаются возможности использования блок-сополимерных наноструктур c двумя характерными масштабами как фотонных кристаллов с непрерывно регулируемыми характеристиками запрещённой зоны, селективных мембран, а также твердотельных приложений.

Встроенный механизм нарушения симметрии обращения времени и аномальная спиновая релаксация в сильно коррелированном топологическом изоляторе SmB6

Докладчик: Сергей Васильевич Демишев (Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН, д.ф.-м.н.)

В докладе представлены результаты транспортных и магниторезонансных исследований сильнокоррелированного топологического изолятора  гексаборида самария. Показано существование поверхностного слоя с металлической проводимостью, возрастающей при понижении температуры. Продемонстрировано наличие отклика в электронном спиновом резонансе от парамагнитных центров, спонтанно возникающих на поверхности SmB6 в результате магнитного перехода при T ~ 5 K.

Коллективные и одночастичные возбуждения в низкоразмерных электронных системах

Докладчик: Вячеслав Михайлович Муравьев (Институт физики твердого тела им. Ю. А. Осипьяна РАН, к.ф.-м.н.)

Аномальная эластичность графена: от фазовых переходов к гибкой электронике

Докладчик: Валентин Юрьевич Качоровский (Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, д.ф.-м.н.)

В докладе рассматриваются наиболее интересные и необычные упругие свойства кристаллических мембран на основе графена и представлен краткий обзор недавних экспериментальных и теоретических работ, посвященных анализу критического поведения таких мембран. Также обсуждается возможность применения данных свойств в гибкой электронике.

Гетероструктуры с квантовыми ямами HgTe/CdTe для лазеров среднего и дальнего ИК диапазона

Докладчик: Сергей Вячеславович Морозов (Институт физики микроструктур РАН, к.ф.-м.н.)

В докладе приводятся экспериментальные результаты по наблюдению длинноволнового (до 20 мкм) стимулированного излучения из волноводных структур с квантовыми ямами на основе твердых растворов CdHgTe. Обсуждаются механизмы подавления оже-рекомбинации, за счет чего открывается возможность использования все более узкозонных структур.

Аномальный и топологический эффект Холла в наноструктурах

Докладчик: Игорь Владимирович Рожанский (Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, д.ф.-м.н.)

В докладе представлен обзор известных механизмов аномального эффекта Холла — дополнительного вклада в холловское сопротивление, связанного с намагниченностью образца, — а также представлены оригинальные результаты теоретического исследования топологического эффекта Холла при рассеянии электронов на магнитных скирмионах и топологически тривиальных вихрях намагниченности.

Фотогальванические эффекты в вейлевских полуметаллах

Докладчик: Леонид Евгеньевич Голуб (Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, д.ф.-м.н.)

В докладе рассматриваются полуметаллы Вейля — кристаллы, в которых уровень Ферми лежит вблизи точек касания невырожденных энергетических зон. В гиротропных вейлевских полуметаллах возможен циркулярный фотогальванический эффект. Приводится рассмотрение эффекта на примере WTe2.

Гексаборид самария: от экситон-поляронного диэлектрика к топологическому кондо-изолятору

Докладчик: Владимир Витальевич Глушков (Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН, д.ф.-м.н.)

В докладе обсуждаются низкотемпературные свойства гексаборида самария — классического соединения с промежуточной валентностью. Показано, что эти свойства нетривиальны, а их корректный анализ требует идентификации различных механизмов объемного и поверхностного зарядового транспорта.

Квантовый спиновый эффект Холла в наноструктурах на основе трехмерных немагнитных топологических изоляторов

Докладчик: Виктор Витальевич Тугушев (Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт»; Donostia International Physics Center, д.ф.-м.н.)

В докладе рассматривается квантовый спиновый эффект Холла в структурах 3D топологический изолятор/нормальный изолятор. Представлена качественная модель эффекта для таких структур.

Коллективные явления в холодных непрямых экситонах

Докладчик: Леонид Викторович Бутов (University of California, San Diego, к.ф.-м.н.)

В докладе рассматриваются непрямые экситоны — связанная пару электрона и дырки в пространственно разделенных слоях. Представлены явления в холодных непрямых экситонах, в том числе спонтанная когерентность и конденсация экситонов, длинномасштабный спиновый транспорт и спиновые текстуры, а также локализацию и делокализацию экситонов. Также представлены результаты экспериментов, подтверждающие возможность создания экситонных устройств.

Два лика жидкости: между твердым телом и газом

Докладчик: Вадим Вениаминович Бражкин (Институт физики высоких давлений им. Л. Ф. Верещагина РАН, д.ф.-м.н., академик РАН)

В докладе обсуждаются свойства жидкости вблизи кривой плавления, где она имеет гораздо больше общего с твердым телом, нежели с газом.

Перенос заряда как случайный процесс

Докладчик: Вадим Сергеевич Храпай (Институт физики твердого тела им. Ю. А. Осипьяна РАН, к.ф.-м.н.)

В докладе представлены результаты исследований дробового шума в мезоскопических полупроводниках и гибридных структурах, позволяющих получить информацию о статистике протекания заряда, микроскопическом механизме рассеяния и межэлектронных корреляциях.

Экситонные свойства двумерных полупроводников

Докладчик: Михаил Михайлович Глазов (Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, д.ф.-м.н.)

В докладе приведен обзор экситонных эффектов в монослоях дихалькогенидов переходных металлов (MoS2, WSe2 и др.), и представлены результаты исследований спиновой и долинной динамики экситонов и проявлений экситонов в эффектах нелинейной оптики.

Проект LIGO и его оптические компоненты: проблемы и перспективы

Докладчик: Ашот Суренович Маркосян (Stanford University, д.ф.-м.н.)

В докладе описываются цели и задачи проекта LIGO, представлены результаты первого наблюдения гравитационных волн. Основной фокус доклада направлен на интерферометры проекта, их характеристиках и методах улучшения последних.

Компьютерный дизайн новых материалов

Докладчик: Артем Ромаевич Оганов (State University of New York at Stony Brook; Московский физико-технический институт, д.ф.-м.н.)

В докладе описываются вычислительные методы, позволяющие предсказать структуру материалов, а также методы, позволяющие по структуре материала предсказать его свойства. Представлены неожиданные открытия новых химических соединений, результаты теоретических исследованиях наноматериалов, поиска сверхтвердых материалов и др.

Поверхностные состояния дираковских фермионов

Докладчик: Сергей Николаевич Молотков (Институт физики твердого тела им. Ю. А. Осипьяна РАН, д.ф.-м.н.)

В докладе обсуждается симметрийная классификация поверхностных состояний в кристаллических топологических изоляторах и приведены примеры новых типов безмассовых дираковских фермионов.

Поверхностные состояния дираковских фермионов

Докладчик: Владимир Александрович Волков (Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, д.ф.-м.н.)

В докладе дан обзор теоретических и экспериментальных работ по поверхностным состояниям в дираковских материалах (графен, топологические изоляторы, полуметаллы Дирака и Вейля). Представлена модель, аналитически описывающая поверхностные и краевые состояния разного типа.

Двумерные и трехмерные топологические изоляторы на основе структур HgTe/CdHgTe

Докладчик: Сергей Анатольевич Тарасенко (Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, д.ф.-м.н.)

В докладе дан краткий обзор современного состояния физики топологических изоляторов, представлены результаты наших исследований электронной структуры и фотогальванических эффектов в двумерных и трехмерных топологических изоляторах на основе гетероструктур HgTe/CdHgTe.

Транспорт между двумерным топологическим изолятором и металлом с макроскопическим параметром порядка (сверхпроводником или ферромагнетиком)

Докладчик: Эдуард Валентинович Девятов (Институт физики твердого тела им. Ю. А. Осипьяна РАН, д.ф.-м.н.)

Доклад посвящен экспериментальным исследованиям электронного транспорта между ферромагнитными или сверхпроводящими контактами к краю двумерного топологического изолятора на основе квантовой ямы HgTe. Представлены результаты, прямым образом подтверждающие спиновую когерентность краевого тока на макроскопических расстояниях.

Фемтосекундный оптомагнетизм: от основ к сверхбыстрой магнитофотонике и записи информации

Докладчик: Алексей Вольдемарович Кимель (Radboud University, Institute for Molecules and Materials; Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики, к.ф.-м.н.)

В докладе будут рассмотрены фундаментальные основы оптомагнетизма, механизмы управления магнитным порядком с помощью света и представлены конкретные примеры модуляции магнитооптических сигналов на терагерцовых частотах и записи информации за рекордно короткие времена.

Атомные процессы на поверхности кристалла

Докладчик: Александр Васильевич Латышев (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, д.ф.-м.н., член-корреспондент РАН)

В докладе представлены результаты исследований при помощи in situ сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии структурных процессов, протекающих на поверхности кремния при сублимации, адсорбции, гомо- и гетероэпитаксиальном росте, термическом отжиге и газовых реакциях. Указанный метод разработан в ИФП СО РАН и является уникальным методом диагностики.

Магнитный резонанс в квантовых магнетиках

Докладчик: Александр Иванович Смирнов (Институт физических проблем им. П. Л. Капицы РАН, д.ф.-м.н.)

В докладе рассматриваются спиновые системы в диэлектрических кристаллах со структурой антиферромагнитных обменных связей в виде цепочек, двумерных слоев и сетей связанных димеров. В таких кристаллах магнитное упорядочение может отсутствовать или сильно запаздывать что обусловлено сильными нулевыми колебаниями спинов, которые разрушают классический магнитный порядок. Основное состояние системы с отсутствием упорядочения получило название «спиновой жидкости».  

Оптоэлектроника на основе широкозонных полупроводниковых гетероструктур А3N и А2В6

Докладчик: Сергей Викторович Иванов (Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, д.ф.-м.н.)

В докладе рассматриваются перспективы и применение в оптоэлектронных устройствах гетерострукутр на основе нитридов, а также материалов A2B6. Кроме того, представлены основные результаты исследований и разработок ФТИ им. А.Ф. Иоффе в этой области.

Сверхпроводящие джозефсоновские структуры с ферромагнитными барьерами и их возможное использование в сверхпроводящей электронике и спинтронике

Докладчик: Валерий Владимирович Рязанов (Институт физики твердого тела им. Ю. А. Осипьяна РАН, д.ф.-м.н.)

В докладе приводится обзор свойств джозефсоновских структур сверхпроводник — ферромагнетик — сверхпроводник и рассматривается возможность их применения.

Гетероструктуры на основе HgTe/CdTe для оптоэлектроники ТГц диапазона

Докладчик: Владимир Изяславович Гавриленко (Институт физики микроструктур РАН, д.ф.-м.н.)

В докладе приводится обзор исследований квантовых ям HgTe/CdHgTe, привлекающих внимание исследователей за счет целого ряда замечательных свойств, методами терагерцовой спектроскопии (магнитопоглощение, фотопроводимость, фотолюминесценция) и рассматриваются перспективы создания на их основе лазеров дальнего ИК диапазона.

Эффекты взаимодействия и беспорядка в тонких плёнках трёхмерных топологических изоляторов

Докладчик: Игорь Сергеевич Бурмистров (Институт теоретической физики им. Л. Д. Ландау РАН, д.ф.-м.н.)

В докладе будет представлена теория квантовых поправок от интерференции (слабая антилокализация) и межэлектронного взаимодействия (поправки Аронова — Альтшулера) для электронного транспорта в диффузионном режиме на поверхности тонких пленок трёхмерных топологических изоляторов.

Механизмы вращения единичной молекулы ацетилена на поверхности меди Cu(001) при помощи СТМ

Докладчик: Сергей Григорьевич Тиходеев (Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН, д.ф.-м.н.)

В докладе приводится объяснение вращения единичной молекулы ацетилена на поверхности меди Cu(001) при помощи сканирующего туннельного микроскопа. Механизм такой манипуляции долгое время оставался неясным, несмотря на то, что многие другие манипуляции нашли свое объяснение.

Квантовый транспорт электронов через структуры атомного масштаба при учете процессов неупругого рассеяния и многократного отражения

Докладчик: Валерий Владимирович Вальков (Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН, д.ф.-м.н.)

В докладе обсуждаются теоретические предсказания свойств проявляющихся на отдельных атомах и молекулах, находящихся на поверхности металлического контакта или в разломе.

Влияние топологии на электронные свойства твердотельных микро- и наноструктур

Докладчик: Владимир Михайлович Фомин (Institute for Integrative Nanosciences, IFW Dresden, д.ф.-м.н.)

В докладе представлены результаты теоретических исследований свойств твердотельных микро- и наноструктур с нетривиальными топологическими характеристиками. Например, для микроструктур в форме ленты Мёбиуса с неоднородным кручением обнаружен переход от делокализованных электронных состояний к локализованным по мере возрастания степени неоднородности.

Спектроскопия неупругого рассеяния света на коллективных спиновых возбуждениях в двумерной электронной системе

Докладчик: Леонид Викторович Кулик (Институт физики твердого тела им. Ю. А. Осипьяна РАН, д.ф.-м.н.)

В докладе рассматривается экспериментальный метод, позволяющий исследовать спектры коллективных спиновых возбуждений в высокоподвижной двумерной системе. Обсуждаются результаты, полученные указанным методом.

Эффекты резонансного туннелирования в полупроводниковых гетероструктурах

Докладчик: Никита Сергеевич Аверкиев (Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, д.ф.-м.н.)

В докладе рассматривается резонансное туннелирование — процесс, при котором вероятность туннелирования частицы через некоторый барьер, в целом, мала, однако есть некоторые узкие интервалы энергий, для которых вероятность прохождения равна единице. Также рассматриваются примеры из физики полупроводников, в которых этот процесс приводит к неожиданным эффектам.

Новый класс веществ — топологические изоляторы

Докладчик: Юрий Ефремович Лозовик (Институт спектроскопии РАН, к.ф.-м.н.)

Доклад посвящен обзору необычных свойств топологических изоляторов. Новой парадигмой является то, что топологические изоляторы связаны не с возникновением спонтанного нарушения симметрии в кристалле и связанного с ним возникновения параметра порядка, а с появлением топологического инварианта.

Колоссальное магнитосопротивление и обменные взаимодействия в манганитах и кобальтитах

Докладчик: Игорь Олегович Троянчук (Объединенный институт физики твердого тела и полупроводников НАН Белоруссии, д.ф.-м.н.)

В докладе рассматриваются результаты исследования магнитных и магнитотранспортных свойств кобальтитов и манганитов, легированных парамагнитными и диамагнитными ионами.

The Polariton Condensate in Semiconductor Microcavities

Докладчик: Maurice Skolnick (University of Sheffield, д.ф.-м.н., член-корреспондент РАН)

Кремниевые светоизлучающие наноструктуры

Докладчик: Захарий Фишелевич Красильник (Институт физики микроструктур РАН, д.ф.-м.н.)

Superconductivity in low-density electron systems

Докладчик: Максим Юрьевич Каган (Институт физических проблем им. П. Л. Капицы РАН, д.ф.-м.н., член-корреспондент РАН)

Экситонные поляритоны в планарных полупроводниковых микрорезонаторах: параметрическое рассеяние и неравновесная бозе-конденсация

Докладчик: Владимир Дмитриевич Кулаковский (Институт физики твердого тела им. Ю. А. Осипьяна РАН, д.ф.-м.н., член-корреспондент РАН)

В докладе рассматриваются кинетика формирования и свойства поляритонного бозе-конденсата.

Спиновая динамика электронов в наноструктурах

Докладчик: Еугениюс Левович Ивченко (Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, д.ф.-м.н.)