Группа изучения узкозонных полупроводников и гетероструктур на их основе

Научные группы

Группа изучения узкозонных полупроводников и гетероструктур на их основе

Введите что-нибудь для фильтрации.

Руководитель

Иконников Антон Владимирович

Антон Владимирович Иконников

Старший научный сотрудник, к.ф.-м.н.

Группа занимается экспериментальными исследованиями транспортных и оптических свойств структур на основе узкозонных полупроводников, а также изучает характеристики терагерцовых квантово-каскадных лазеров.

Группа входит в лабораторию физики полупроводников под руководством Д. Р. Хохлова, но, фактически, самостоятельно определяет тематику проводимых исследований. Группа тесно сотрудничает с ИФМ РАН и ИСВЧПЭ РАН.

Направления текущих исследований

  • Зонный спектр и спектр примесных состояний в гетероструктурах HgTe/CdHgTe с одиночными и двойными квантовыми ямами.
  • Остаточная фотопроводимость в в гетероструктурах на основе CdHgTe.
  • Перестройка частоты излучения квантово-каскадных лазеров терагерцового диапазона под действием протекающего тока и температуры.

Основные результаты

  • Адаптирована методика гашения задержанной фотопроводимости в твердых растворах PbSnTe, полученных методом горячей стенки, радиоимпульсами очень высокой частоты, что позволило впервые исследовать в этих объектах спектры фотопроводимости при низких температурах методом фурье-спектроскопии.
  • С помощью «оптического затвора» в гетероструктурах HgTe/CdHgTe впервые продемонстрировано прямым образом существование двухзарядного акцептора (вакансии ртути).
  • Продемонстрирована возможность фототермической ионизационной спектроскопии в полупроводниковых твердых растворах на примере эпитаксиальных пленок CdHgTe. Показано, что наблюдаемые в спектрах фотопроводимости субщелевые особенности связаны с переходами дырок в мелкие возбужденные состояния вакансии ртути с последующей термической ионизацией, а не с переходами в континуум валентной зоны.
  • Показано, что ключевые особенности спектров остаточной фотопроводимости в гетероструктурах HgTe/CdHgTe с двойными квантовыми ямами определяются материалом покровного слоя. Предложен эффективный способ управления концентрацией и типом носителей заряда в таких структурах за счет эффекта остаточной фотопроводимости.

Научное оборудование

  • Фурье-спектрометр Bruker Vertex 70v.Bruker 70v
  • Проточный криостат Oxford Instruments OptistatCV, сопряженный с фурье-спектрометром.
  • Комплекс оборудования для исследований транспортных и оптических свойств полупроводниковых структур.
  • Набор уникальных квантово-каскадных лазеров терагерцового диапазона длин волн.

Ключевые публикации


Другие группы